فناوری TOPCon که مخفف عبارت «تماس غیرفعال‌شده با اکسید تونلی» (Tunnel Oxide Passivated Contact) است، یکی از پیشرفته‌ترین فناوری‌های سلول‌های خورشیدی سیلیکونی نسل جدید به شمار می‌رود. در این ساختار، یک لایه بسیار نازک اکسید تونلی در کنار لایه‌ای از سیلیکون پلی‌کریستالیِ دوپ‌شده در بخش تماس سلول قرار می‌گیرد. هدف اصلی از این طراحی، به حداقل رساندن بازترکیب حامل‌های بار در ناحیه تماس فلزی و در عین حال تسهیل عبور مؤثر حامل‌های موردنیاز برای تولید جریان الکتریکی است. کاهش بازترکیب منجر به افزایش ولتاژ مدار باز، ضریب پرشدگی (Fill Factor) و در نهایت ارتقای راندمان سلول می‌شود. مؤسسه Fraunhofer ISE با هدف تلفیق پسیواسیون (غیرفعال‌سازی) بهینه سطح با انتقال کارآمد حامل‌های بار، این فناوری را توسعه داده و راندمان‌های بسیار بالایی را برای این معماری گزارش کرده است. اگرچه امروزه بخش عمده محصولات تجاری TOPCon بر پایه ویفرهای نوع n تولید می‌شوند، اما صرفِ بهره‌گیری از این فناوری، تضمین‌کننده دوام بالاتر پنل نیست. طبق گزارش IEA PVPS، در فناوری‌های نوین TOPCon، بررسی پدیده‌هایی نظیر افت توان ناشی از ولتاژ (PID)، تخریب ناشی از اشعه فرابنفش (UV) و خوردگی ناشی از رطوبت ضروری است. از این رو، هنگام انتخاب پنل‌های TOPCon، علاوه بر شاخص‌های راندمان و توان، توجه به کیفیت مواد اولیه (BOM)، نوع کپسولانت، نتایج آزمون‌های دوام و سابقه عملکرد مدل دقیق ماژول اهمیت بسزایی دارد.
منابع مرجع