عبارت LID در پنل‌های خورشیدی، مخفف «تخریب القاشده توسط نور» (Light-Induced Degradation) است. این پدیده باعث می‌شود توان خروجی سلول یا ماژول پس از نخستین مواجهه با تابش نور، نسبت به مقدار اسمی اولیه کاهش یابد. یکی از سازوکارهای شناخته‌شده در سلول‌های سیلیکونی قدیمی نوع p، تشکیل کمپلکس‌های بور-اکسیژن در ویفر سیلیکونی است که منجر به افزایش نرخ بازترکیب حامل‌های بار می‌شود. شدت LID به عواملی نظیر نوع ویفر، ماده ناخالص (دوپانت)، فرایند ساخت و معماری سلول بستگی دارد. لازم است LID را از پدیده LETID (تخریب القاشده توسط نور و دمای بالا) متمایز دانست؛ چرا که LETID تحت تأثیر هم‌زمان نور و دمای بالا رخ می‌دهد و سازوکار متفاوتی دارد. طبق گزارش IEA PVPS، استفاده از ویفرهای دوپ‌شده با گالیم و بهبود فرایندهای تولید، توانسته است میزان LID و LETID را در فناوری‌های نوین به‌طور چشمگیری کاهش دهد. در آزمون‌های مستقل نیز مشخص شده است که میزان این افت برای BOMهای مختلف یکسان نیست. مؤسسه Kiwa PVEL برای انتخاب محصولات در دسته «عملکرد برتر» (Top Performer) در آزمون LID+LETID، مجموع افت توان کمتر از یک درصد را به عنوان معیار در نظر می‌گیرد. از این رو، هنگام خرید پنل برای نیروگاه‌های خورشیدی، بررسی دقیق میزان افت اولیه تضمین‌شده در گارانتی و نتایج آزمون‌های مستقلِ همان مدل، اهمیت بالایی دارد.
منابع مرجع