فناوری IBC در پنلهای خورشیدی که مخفف عبارت «تماس پشتی درهمتنیده» (Interdigitated Back Contact) است، نوعی معماری پیشرفته برای سلولهای سیلیکونی محسوب میشود که در آن تمامی اتصالات فلزی مثبت و منفی در بخش پشتی سلول تعبیه شدهاند. در سلولهای خورشیدی متداول، بخشی از شبکه فلزی در سطح جلویی قرار میگیرد که موجب مسدود شدن قسمتی از نور ورودی میشود؛ اما در طراحی IBC، با انتقال این اتصالات به پشت سلول، سطح جلویی بهطور کامل برای جذب حداکثری نور آزاد میماند و تلفات ناشی از سایهاندازیِ شبکه فلزی به حداقل میرسد. در پشت سلول، نواحی مثبت و منفی بهصورت الگویی درهمتنیده طراحی شدهاند که این ساختار، دستیابی به راندمانهای بسیار بالا را ممکن میسازد. به همین دلیل، سلولهای IBC همواره در زمره کارآمدترین فناوریهای سیلیکونی قرار داشتهاند؛ بهطوری که مؤسسه Fraunhofer ISE گزارش داده است که در طراحیهای مبتنی بر IBC، رکوردهای راندمانی نزدیک به ۲۶ درصد نیز ثبت شده است. با این حال، تولید این سلولها به دلیل پیچیدگی در فرایندهای دوپینگ، پسیواسیون و اتصالدهی در پشت سلول، نیازمند دقت و کیفیت بسیار بالایی است. امروزه ترکیب معماری «تماس پشتی» با «اتصالات پسیوشده» در حال توسعه است. در نهایت، اگرچه راندمان بالا مهمترین مزیت پنلهای IBC به شمار میرود، اما هنگام انتخاب آنها باید فاکتورهای دیگری نظیر قیمت، نرخ افت توان، ضریب دمایی و نتایج آزمونهای دوام نیز بهدقت ارزیابی شوند.
منابع مرجع
