پنل‌های خورشیدی HJT یا هتروجانکشن (Heterojunction)، از سلول‌هایی تشکیل شده‌اند که در آن‌ها یک ویفر سیلیکونی کریستالی (معمولاً از نوع n-type) با لایه‌های بسیار نازک سیلیکون آمورف ترکیب شده است. این ساختار منحصربه‌فرد، پسیواسیون (Passivation) سطحی سلول را به شکل چشمگیری بهبود بخشیده و با کاهش نرخ بازترکیب حامل‌های بار، منجر به دستیابی به ولتاژ مدار باز و راندمان بسیار بالا می‌شود. این فناوری در متون تخصصی با نام SHJ یا سیلیکون هتروجانکشن نیز شناخته می‌شود. یکی از مزایای کلیدی HJT، ضریب دمایی مطلوب آن است؛ به طوری که داده‌های NREL برای فناوری‌های رایج، ضریب دمایی این پنل‌ها را در محدوده ۰.۲۵ تا ۰.۳۰ درصد بر درجه سانتی‌گراد گزارش کرده‌اند که عملکرد آن‌ها را در مناطق گرم بسیار بهینه می‌سازد. علاوه بر این، پنل‌های HJT از قابلیت دوطرفه (Bifacial) بسیار بالایی برخوردارند و طبق گزارش IEA PVPS، در طراحی‌های بهینه، ضریب دوطرفگی (Bifaciality) آن‌ها به بیش از ۹۰ درصد می‌رسد. با این حال، فرآیند تولید HJT به دلیل نیاز به لایه‌های TCO، متالیزاسیون در دمای پایین و تفاوت‌های ساختاری با فناوری‌های TOPCon یا PERC، ممکن است هزینه‌های تولید بالاتری را به همراه داشته باشد. از این رو، ارزیابی نهایی این فناوری باید با در نظر گرفتن تعادل میان قیمت، دوام قطعات (BOM)، شرایط گارانتی و میزان تولید انرژی واقعی در طول دوره بهره‌برداری صورت گیرد.
منابع مرجع