برای شناسایی خرابی دیود بایپس در پنلهای خورشیدی، ابتدا باید مشخص شود که دیود در وضعیت اتصال کوتاه (Short Circuit)، مدار باز (Open Circuit) یا اتصالات معیوب قرار دارد. دیود اتصالکوتاه شده میتواند باعث بایپس دائمی یک زیرمجموعه (Substring) از سلولها شود که نتیجه آن کاهش ولتاژ و توان خروجی ماژول است؛ در این شرایط، مقایسه ولتاژ مدار باز (Voc) و بررسی شکل منحنی جریان-ولتاژ (I-V)، افت ولتاژ در بخشی از پنل را نمایان میسازد. دیود مدار باز شده معمولاً در شرایط تابش کامل و بدون سایه اثر مشهودی ندارد، اما در زمان سایهاندازی، قادر به محافظت از زیرمجموعه مربوطه نخواهد بود که این امر افزایش خطر داغ شدن بیش از حد سلولها (Hotspot) را به همراه دارد. طبق گزارشهای IEA PVPS، خرابی دیود بایپس از جمله حالتهای نقص فنی است که تأثیر قابلتوجهی بر توان تولیدی دارد. همچنین، تصویربرداری حرارتی (ترموگرافی) از جعبه تقسیم (Junction Box) و سطح پنل میتواند الگوهای دمایی غیرعادی ناشی از عملکرد نادرست دیود را آشکار کند. در منحنی I-V، فعال شدن یا خرابی دیود بایپس ممکن است به صورت پلهای یا تغییر در شیب نمودار ظاهر شود. گزارشهای جدید IEA PVPS تأکید میکنند که نقص در اتصالات داخلی جعبه تقسیم میتواند منجر به افت توان رشته (String) و حتی بروز مخاطرات ایمنی شود؛ از آنجا که تشخیص برخی خرابیهای مدار باز پس از نصب پنل دشوار است، تست مستقیم جعبه تقسیم باید حتماً توسط تکنسینهای مجاز و مطابق با دستورالعملهای سازنده انجام پذیرد.
منابع مرجع
